Оргкомитет

Программа

Тезисы

Доклады

Календарь

Фоторепортаж

Программа конференции. (PDF -209k)

Вторник, 4 июля, 2006

Секция № 1 Процессы роста из расплава
Председатели: Простомолотов А.И., Меженный М.В.
Актовый зал Главного корпуса ИФ СО РАН

Секция № 3 Структуры кремний-на-изоляторе
Председатель: Попов В.П.
Аудитория 2-03 Главного корпуса ИФ СО РАН

Секция № 4 Дефекты и примеси, ионная имплантация, ядерное легирование
Председатели: Соболев Н.А., Борун А.Ф., Патрин Г.С.
Актовый зал Технологического корпуса ИФ СО РАН

	Пленарные доклады. Актовый зал главного корпуса
9:00—9:30	Церемония открытия
9:30—10:10	Тенденции развития современной кремниевой наноэлектроники Неизвестный И.Г., Асеев А.Л.
10:20—10:50	Перерыв на кофе
10:50—11:30	Солнечная энергетика на основе мультикремния Непомнящих А.И.
11:40—14:00	ОБЕД
	Работа по секциям
	Секция № 1 Процессы роста из расплава	Секция № 3 Структуры кремний-на-изоляторе	Секция № 4 Дефекты и примеси, ионная имплантация, ядерное легирование
14:00—14:15	Математическое моделирование и экспериментальная верификация распределений микродефектов и напряженного состояния в бездислокационных монокристаллах и пластинах кремния Простомолотов А.И., Верезуб Н.А. , Меженный М.В., Мильвидский М.Г., Резник В.Я.	Структуры полупроводник-на-изоляторе - основа посткремниевой электроники В. П. Попов, И. Е. Тысченко	Рекомбинация вакансий и междоузельных атомов в si в протяженной форме в плоскости {113} Л.И. Федина
14:15—14:30	Особенности трехмерного теплопереноса и дефектообразования при асимметричной прецессии монокристаллов кремния большого диаметра, выращиваемых по чохральскому Верезуб Н.А., Простомолотов А.И.	Свойства структур КНИ с нанометровыми слоями кремния О.В. Наумова, Т.А. Гаврилова, Е.В. Вохмина, Н.В. Дудченко, Е.В. Спесивцев, Д.В. Николаев, В.П. Попов	Инженерия дефектов в технологии светоизлучающих структур на основе монокристаллического кремния Н.А. Соболев
14:30—14:45	Влияние условий роста на морфологию поверхности монокристаллов БЗП кремния. Фрицлер К.Б., Труханов Е.М., Калинин В.В., Смирнов П.Л., Колесников А.В., Василенко А.П.	Оптические свойства ионно-имплантированных структур кремний-на-изоляторе И. Е. Тысченко, В. П. Попов	Ядерное легирование кремния: состояние и перспективы Стук А.А., Колин Н.Г.
14:45—15:00	Рост мультикристаллического кремния по методу стокбаргера-бриджмена. А.И. Непомнящих, Б.А. Красин, А.Е. Кох, Н.В. Немчинова, С.С. Бельский	КНИ-нанотранзисторы с двумя независимо управляемыми затворами О.В. Наумова, М.А. Ильницкий, Л.Н. Сафронов, В.П. Попов	Динамика перераспределения атомов кислорода при восстановлении нарушенных ионной бомбардировкой слоев кремния В.И. Ободников, Е.Г. Тишковский, Л.И. Федина, А.Г. Черков
15:00—15:15	Влияние режимов роста и отжига на параметры p-Si (Cz) Ленченко В.М., Шагаров Б.А., Юркина Т.И.	Структура, электрические и оптические свойства слоев кремния на сапфире, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии С.А. Денисов, Л.В. Красильникова*, Е.В. Коротков, Д.А. Павлов, С.П. Светлов, Е.А. Питиримова, С.В. Тихов, В.А. Трушин, В.Ю. Чалков, В.Г. Шенгуров	Зарядовая модель рекомбинационных свойств кластеров дефектов В.М. Ленченко, Ю.Ю. Логинов
15:15—15:30	Кислородсодержащие дефекты в бездислокационных пластинах кремния, образующиеся в процессе многоступенчатой термообработки, включающей быстрый термический отжиг Меженный М.В., Мильвидский М.Г., Резник В.Я.	Влияние тонкого слоя SiO₂ на взаимодействие Fe с поверхностью Si(001) В.В. Балашев, В.В. Коробцов, Т.А. Писаренко, А.А. Маткин	Влияние ионов диспрозия на физические свойства кристалла моносилицида железа Г.С. Патрин, В.В. Белецкий, Н.В. Волков, Д.А. Великанов, О.В. Закиева
15:30—15:45	Неоднородность и дефекты структуры в монокристаллах кремний-германий, выращенных по Чохральскому Л.М. Сорокин, Т.С. Аргунова, Н.В. Абросимов, М.Ю. Гуткин, А.Г. Забродский, А.С. Трегубова, J.W. Jung, J.H. Je	—	—
15:45—16:00	Перерыв на кофе
16:00—19:00	Постерная сессия. Холл главного корпуса ИФ СО РАН

Среда, 5 июля, 2006

Секция № 2 Эпитаксиальные структуры, низкоразмерные системы на основе кремния
Председатели: Пчеляков О.П., Саранин А.А., Асеев А.Л.
Актовый зал Главного корпуса ИФ СО РАН

Секция № 5, 6 Микрокристаллические, аморфные и пористые слои.
Новые приборные структуры на основе объемного материала и наноструктур
Председатели: Исхаков Р.С., Юрченко В.И.
Актовый зал Технологического корпуса ИФ СО РАН

Секция № 7 Методы и аппаратура для роста и исследования кремния
Председатели: Владимиров В.М., Кобелева С.П., Терехин Н.А., Шагаров Б.А., Калинин В.В.
Актовый зал Президиума КНЦ СО РАН

	Пленарные доклады. Актовый зал главного корпуса
9:00—9:40	Современное состояние технологии поликремния Кузнецов Ф.А., Елютин А.В., Ревенко Ю.А.
9:50—10:20	Перерыв на кофе
10:20—11:00	Итоги физического и численного моделирования гидродинамики и теплообмена в методе Чохральского Бердников В.С.
11:00—11:20	Перерыв на кофе
	Работа по секциям
	Секция № 2 Эпитаксиальные структуры, низкоразмерные системы на основе кремния	Секция № 5, 6 Микрокристаллические, аморфные и пористые слои. Новые приборные структуры на основе объемного материала и наноструктур	Секция № 7 Методы и аппаратура для роста и исследования кремния
11:20—11:35	Динамические свойства нанокластеров IN/SI на поверхности кремния Саранин А.А., Зотов А.В.	Нанокристаллическая фаза в феноменологических моделях аморфного кремния В.В. Болотов, А.В. Орлов	Автоматизация измерений удельного электросопротивления пластин кремния Владимиров В.М., Гринин Э.Ф., Сергий М. Е., Шепов В.Н.
11:35—11:50	Молекулярно-лучевая эпитаксия наногетероструктур на основе кремния и германия для применения в фотовольтаике О.П. Пчеляков, А.И. Никифоров, Б.З. Ольшанский, С.А. Тийс, К.Н. Романюк	Влияние NO₂ на комбинационное рассеяние света и вольт-амперные характеристики слоев мезопористого кремния В.В. Болотов, И.В. Пономарева , Ю.А. Стенькин, В.Е. Канн	СВЧ измерения распределения времени жизни ннз по диаметру и длине слитка кремния Бородовский П.А., Булдыгин А.Ф., Токарев А.С.
11:50—12:05	Кремниевые наноструктуры с квантовыми точками А.В. Двуреченский, А.И. Якимов, Н.П. Степина, А.Ф. Зиновьева, А.В. Ненашев, Ж.В. Смагина, В.А. Армбристер В.В. Кириенко, А.К. Гутаковский, В.Г. Кеслер, А.А. Блошкин, Г.Ю. Михалев	Синтез и свойства композитов магнитный металл — пористый кремний Р.С. Исхаков, Л.А. Чеканова, В.А. Юзова, С.В. Комогорцев, О.В. Семенова	Анализ способов оценки объемного времени жизни неравновесных носителей заряда в слитках монокристаллического кремния по данным свч метода С.П. Кобелева, С.Ю. Юрчук
12:05—12:20	Атомные процессы на поверхности кремния при сублимации и адсорбции золота Косолобов С.С., Родякина Е.Е., Латышев А.В., Асеев А.Л.	Структуры на основе пористого кремния и возможное их применение в микроэлектронике Р.С. Исхаков, В.А. Юзова, Л.А. Чеканова, А.Я. Корец, С.В. Комогорцев, А.П. Пузырь, О.В. Семенова	Метрологические характеристики автоматизированного комплекса ВИК-УЭСА для анализа карт распределения удельного электросопротивления пластин кремния И.М. Анфимов, В.С. Бердников, К.В. Закутайлов, С.П. Кобелева, Ю.М. Пшеничников, А.Н. Чиякин
12:20—12:35	Выращивание гетероструктур Ge_xSi_1-x/Si(100) c большим содержанием Ge (x>0.35) методом молекулярно-лучевой эпитаксии Дерябин А.С., Болховитянов Ю.Б., Соколов Л.В., Гутаковский А.К., Колесников А.В.	Флэш память на основе диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью В.А. Гриценко, К.А. Насыров, С.С. Шаймеев	Спектральные эллипсометрические измерения тонких пленок и многослойных структур на основе кремния В.А. Швец, С.В. Рыхлицкий, Е.В. Спесивцев, А.Г. Борисов, В.Ю. Прокопьев, С.А. Дулин
12:35—12:50	Образование и отжиг дефектов в светоизлучающих нанокристаллах кремния Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, Д.В. Марин, В.А. Володин, А.К. Гутаковский, А.Г. Черков, M. Deutschmann*	Динамические характеристики интегральных полупроводниковых тензопреобразователей Вершинский А. В., Левицкий А. А., Наберухин А. В	ИК-спектроскопия состояния углерода и бора в сильнолегированных эпитаксиальных слоях SIGE:C(B) В.Д. Ахметов, Х. Рихтер
12:50—14:00	ОБЕД
16:00—19:00	ЭКСКУРСИЯ

Четверг, 6 июля, 2006

Секция № 8 Солнечный кремний, исходное сырье, очистка, кристаллизация, фэпы
Председатели: Непомнящих А. И., Бердников В.С.
Аудитория 2-03 Главного корпуса ИФ СО РАН

	Работа по секциям
	Секция № 2 Эпитаксиальные структуры, низкоразмерные системы на основе кремния	Секция № 5, 6 Микрокристаллические, аморфные и пористые слои. Новые приборные структуры на основе объемного материала и наноструктур	Секция № 7 Методы и аппаратура для роста и исследования кремния	Секция № 8 Солнечный кремний, исходное сырье, очистка, кристаллизация, фэпы
9:30—9:45	Влияние атомов бора на термическую нитридизацию поверхности Si(111) Маркидонов Е.В., Балашев В.В., Базарсад Х., Коробцов В.В	Использования кремния для изготовления автодинных устройств КВЧ диапазона В.И. Юрченко, С.Д. Воторопин	Опыт создания крупногабаритных блочных конструкций для производства поликристаллического кремния с использованием 3-х мерной графики при проектировании Абловацкий А.Н., Терехин Н.А., Шагаров Б.А	Электронно-пучковая плазма для кремниевых технологий Р.Г. Шарафутдинов, О.И. Семенова, В.Г. Щукин
9:45—10:00	Окисление кремния и германия на воздухе Антонова Л.Т., Денисов В.М., Михлин Ю.Л.	Особенности электрофизических свойств мдп-структур со слоями нанокристаллического кремния В.А. Викулов, В.В. Коробцов, А.А. Димитриев	Система документирования процесса выращивания монокристалла кремния на ростовой установке "КЕДР" Гордеев В.И., Елисеев Ю.В.	Значение исследований параметров генерации и релаксации фотопроводимости в характеристике мультикристаллического кремния для солнечной энерегетики Б.А. Красин, А.И. Непомнящих, Ю.С. Мухачев, Р.В. Пресняков, В.Л. Усов, С.М. Рожкова
10:00—10:15	Исследование интерфейса мультислоев Fe/Si методом спектроскопии потерь энергии отраженных электронов А.С. Паршин, Г.А. Александрова, С.Н. Варнаков, С.А. Кущенков, С.Г. Овчинников	Магнитные и резонансные свойства многослойных магнитных пленок с немагнитной кремниевой прослойкой Г.С. Патрин, В.О. Васьковский, Д.А. Великанов, Н.В. Волков, А.В. Свалов, М.А. Щеглова, Е.В. Еремин	Проблемные вопросы обеспечения качества и надежности комплектующих изделий ростовых установок для выращивания монокристаллов кремния по методу чохральского Гордеев В.И., Панов П.И.	Моделирование режимов барботажа при рафинировании металлургического кремния Бердников В.С., Винокуров В.А., Непомнящих А.И.
10:15—10:30	Поверхностные процессы при молекулярно-лучевой эпитаксии нитрида галлия на кремниевых подложках И.А. Бобровникова, И.В. Ивонин, В.А. Новиков	Оптические и механические элементы из кремния В.И. Юрченко	Реализация серверного программного обеспечения для получения кремниевых плёнок А.В. Шайдуров, С.Г. Овчинников, Н.Н. Косырев, С.Н. Варнаков	Процессы и аппараты газофазного получения поликремния разложением силана и трихлорсилана при Т > T_пл В.Н. Демин
10:30—10:45	Получение пленок α-Si из смеси силана с силилбораном Ф.А. Мукашев, Б.М. Кабланбеков	Многослойные магнитные наноструктуры на основе кремния полученные термическим испарением в сверхвысоком вакууме С.Н. Варнаков, J. Bartolome, С.Г. Овчинников, А.С. Паршин, С.В. Комогорцев, Г.В. Бондаренко	Новейшее оборудование компании VEECO для исследования полупроводниковых материалов О.И. Киселёва	Оптимизация реактора для получения поликристаллического кремния хлоридным способом Д.С. Бровин, С.Н. Колгатин, А.А. Ловцюс
10:45—11:00	—	—	Электроэрозионный способ формирования пористой полупроводниковой среды А.Л. Журавлёв, К.В. Лосев, Г.Н. Шелованова	Оптимизация состава исходной шихты при выращивании монокристаллов кремния для ФЭП Т.В. Критская
11:00—11:15	—	—	—	Анализ инновационных процессов организации производства кремния солнечного качества в Сибири В.И. Юрченко
11:15—11:30	—	—	—	Особенности цикла получения кремния «СОЛНЕЧНОГО» сорта из высокочистого рафинированного кремния И.А. Елисеев, А.И. Непомнящих
11:35—11:45	—	—	—	Новая конструкция кремниевых солнечных элементов для работы с концентраторами солнечного излучения Антощенко В.С., Лаврищев О.А., Мигунова А.А.
11:30—12:00	Перерыв на кофе
12:00—14:00	ЭКСКУРСИЯ по ИФ СО РАН
14:00—15:00	ОБЕД
15:00—19:00	Постерная сессия. Холл главного корпуса ИФ СО РАН
19:00	БАНКЕТ

Пятница, 7 июля, 2006

10:00—19:00
Экскурсия на Красноярское море

Вторник, 4 июля, 2006

16:00—19:00
Постерная сессия. Секции NN 1, 3, 4
Холл Главного корпуса ИФ СО РАН

П1	Влияние кислородсодержащих преципитатов на прочностные характеристики монокристаллического кремния Меженный М.В., Мильвидский М.Г., Резник В.Я.
П2	Формирование примесных преципитатов в кремнии Логинов Ю.Ю.
П3	Уравнения генерации и накопления вакансий в кристалле, выращиваемом из расплава Ленченко В.М.
П4	Расчеты влияния условий роста на коэффициент распределения примесных атомов между расплавом и растущим кристаллом Ленченко В.М.
П5	Влияние режимов конвективного теплообмена на форму фронта кристаллизации в методе Чохральского Бердников в.с., Винокуров В.А., Винокуров В.В., Гапонов В.А
П6	Конвективный теплообмен в методе Чохральского в режимах дифференциального вращения кристалла и тигля Бердников в.с., Винокуров В.А., Гапонов В.А.
П7	Влияние конвекционных потоков при БЭП на степень очистки и распределение примесей в монокристаллах кремния Червоный И.Ф., Егоров С.Г., Воляр Р.Н.
П8	Влияние условий выращивания и примесного состава на величину времени жизни н.н.з. в монокристаллах кремния Червоный И.Ф., Воляр Р.Н, Егоров С.Г.
П9	Нестабильность структурно-чувствительных свойств приборных слоев структур "кремний на сапфире" при низкотемпературных внешних воздействиях А.В. Скупов, В. Д. Скупов
П10	Дислокационная люминесценция в si:er диодах, приготовленных с помощью газофазного осаждения поликристаллических слоев кремния, легированных бором и фосфором Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, В.В. Забродский, Н.В. Забродская, В.Л. Суханов
П11	Особенности технологии ядерного легирования кремниевых пластин, используемых в производстве мощных тиристоров Стук А.А., Свистельникова Т.П., Локтаев Ю.М., Сурма А.М., Черников А.А.
П12	Напряжения в решетке Si вблизи преципитатов β- FeSi₂ А.Ф. Борун, Е.А. Выговская, Ю.Н. Пархоменко, Е.Г. Полякова, О.В.Торопова.
П13	Легирование кремния редкоземельными элементами при высокотемпературной обработке Н.В. Латухина, В.М. Лебедев
П14	Особенности поведения электронейтральных примесей металлов iia и iva групп в жидких и твердых растворах на основе кремния Прокофьева В.К., Рыгалин Б.Н., Соколов Е.Б.
П15	Особенности дефектообразования в условиях генерации ударных волн каскадами атомных смещений при ионной имплантации А.В. Скупов, В.Д. Скупов
П16	Пространственная неоднородность распределения р- и n-областей в облученном кремнии Смагулова С.А., Антонова И.В., Неустроев Е.П.
П17	Оптимизация тепловых узлов для выращивания кристаллов кремния по методам Чохральского и Бриджмена Калаев В.В., Кулиев А.Т., Дурнев Н.В., Макаров Ю.Н.

Четверг, 6 июля, 2006

15:00—19:00
Постерная сессия. Секции NN 2, 5, 6, 7, 8
Холл Главного корпуса ИФ СО РАН

П1	Снятие напряжений несоответствия в эпитаксиальных пленках GeSi, выращенных на вицинальных подложках Si (001) А.В. Колесников, А.Ю. Красотин, Е.М. Труханов, А.П. Василенко, А.С. Дерябин, А.С. Ильин
П2	Металлические наногетероструктуры на кремнии Н.И. Плюснин, В.М. Ильященко, С.А. Китань, С.В. Крылов
П3	Возможности метода полюсных фигур для описания кристаллического строения эпитаксиальных пленок на кремнии Зимин С.П., Богоявленская Е.А., Наумов В.В.
П4	Метрологические аспекты измерения параметров кремния и фэп А.В. Юрченко, В.И. Юрченко
П5	Пространственное разрешение установок для измерения времени жизни неравновесных носителей заряда свч методом. С.П. Кобелева, С. Ю. Юрчук
П6	Применение установки ВИК-УЭСА для оценки свойств полупроводниковых и металлических слоев И. М. Анфимов, В. С. Бердников*, М. В. Герасимов, К. Л. Енишерлова, С. П. Кобелева, Э. М. Темпер, Т. С. Цаллагова
П7	Анализ эллипсометрических измерений для структур Si-SiO₂, облученных ионами Si и Ge (моделирование) В.А. Швец, В.Ю. Прокопьев, С.И. Чикичев
П8	Определение азота в тонких пластинах чохральского кремния методом высокочувствительной ИК-фурье спектроскопии В.Д. Ахметов, Х. Рихтер
П9	Диагностика монокристаллического кремния по изменению концентрации кислорода после термообработки при температуре 1200⁰C М.С. Журавель, А.Н. Петлицкий, В.И. Плебанович, О.В. Турутина
П10	Исследование зависимости параметров тонких термически выращенных пленок оксида кремния от состояния поверхности кремниевых пластин Ю.Б. Васильев, В.И. Плебанович, И.В. Простов, А.В. Турыгин
П11	Автоматизированный стенд для неразрушающего контроля параметров гетероэпитаксиальных структур А.А. Величко, А.А. Корнилович, Е.И. Уваров, С.П. Хабаров
П12	Восстановление формы изгиба и контроль толщины слоев кремниевых эпитаксиальных систем с помощью рентгеновской интерферометрии А.С. Ильин, А.П. Василенко, Е.М. Труханов, А.А. Федоров, А.В. Колесников
П13	Выявление дефектов монокристаллического кремния под действием нестационарных источников излучения В.В. Калинин, А.М. Мясников
П14	Методики и средства контроля электрофизических параметров полупроводниковых материалов Егоров Н. М., Казанцев А. В., Казанцев В. В., Левицкий А. А.
П15	Автоматизированная система управления испарителями в установке молекулярно-лучевой эпитаксии Н.Н. Косырев, С.Н. Варнаков, С.Г. Овчинников, А.Е. Худяков
П16	Исследование электрической проводимости поверхностных фаз кремний-адсорбат на кремнии Цуканов Д.А., Рыжков С.В., Лавринайтис М.В.
П17	Экспресс метод измерения пористости полупроводниковых низкоразмерных сред А.Л. Журавлёв, К. В. Лосев, В..В. Симченко, Г. Н. Шелованова
П18	Плазменная технология получения кремния для солнечной энергетики Р.Г. Шарафутдинов, В.Г. Щукин, Е.А. Баранов, М.В. Пономарев, В.О. Константинов, О.И. Семенова*
П19	Зависимость формы фронта кристаллизации от граничных условий для температуры в плоскодонном варианте метода Бриджмена Бердников В.С., Григорьева А.М., Кудрявцева М.А., Филиппова М.В.
П20	Пути снижения поступления металлов-примесей в кремний высокой чистоты, получаемый карботермическим способом Немчинова Н.В., Клёц В.Э., Бельский С.С., Бычинский В.А.*
П21	Металлические наногетероструктуры на кремнии Н.И. Плюснин, В.М. Ильященко, С.А. Китань, С.В. Крылов
П22	Приёмочные испытания оборудования для получения поликристаллического кремния Б.А. Шагаров, С.А. Муравицкий, В.Н. Ниткин, Н.А. Терёхин, П.И. Панов
П23	Установка абсорбционного разделения хлористого водорода и водорода В.А. Лямшев, С.А. Муравицкий, В.Н. Ниткин, Ф.В. Петрусевич, Б.А. Шагаров, В.А. Титов, М.Ф. Резниченко, Л.А. Борисова, В.А. Постников
П24	Новая конструкция кремниевых солнечных элементов для работы с концентраторами солнечного излучения В. С. Антощенко, О. А. Лаврищев, А. А. Мигунова

e-mail: send message